INTRODUÇÃO
Atualmente, incentiva-se a síntese e aplicação de géis funcionais ou géis com propriedades avançadas em diversas áreas do conhecimento. A preparação de géis com propriedades eletrônicas e fotoativas, especificamente, é um tema premente porque pode permitir a formação de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho sem estar necessariamente no estado sólido.
Em adição, os materiais híbridos, constituídos por uma fração orgânica e outra inorgânica de forma a proporcionar propriedades diferentes das convencionais, permitem uma variedade de combinações estruturais que possibilitam sua aplicação em diversos produtos.
Tendo como base a integração entre estes dois conhecimentos, a presente invenção constitui um material inédito baseado em géis a base de sílica (silsesquioxanos), tendo um semicondutor orgânico e apresentando um comportamento fotorresponsivo, eletrônico e de magnetização. Sua síntese é feita por processo de gelificação, apresentando as características de géis híbridos orgânico-inorgânicos de silsesquioxanos baseados em moléculas semicondutoras de diimidas aromáticas. Isso permite que estes géis funcionais tenham propriedades elétricas, magnéticas e de fotossensibilidade.
APLICAÇÕES E PÚBLICO ALVO
A invenção se insere no campo da Química, mais especificamente na área de materiais híbridos, e apresenta enorme potencial para uso em eletrônica molecular e em dispositivos fotovoltaicos, além de poder ser útil para o desenvolvimento de sistemas de sensibilização de oxigênio e de radiações de alta energia.
Figuras: 1. Representação da produção do gel baseado em silsesquioxano em ponte;
2. Representação gráfica da voltametria cíclica no gel antes (linha vermelha) e depois (linhas tracejadas) da exposição à luz solar.
ESTÁGIO DE DESENVOLVIMENTO
Área: Energia; Outros; 0051/2018
IQ; FFCLRP; EEL - USP
APOIO E FOMENTO: processos nº 2016/25600-9 e 2017/13839-0. Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP). “As opiniões, hipóteses e conclusões ou recomendações expressas neste material são de responsabilidade do(s) autor(es) e não necessariamente refletem a visão da FAPESP”.
Patente protegida sob o nº: BR102019017054-9 Polo São Paulo
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